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MBRD320G

MBRD320G

僅供參考

型號 MBRD320G
PNEDA編號 MBRD320G
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 3A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRD320G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRD320G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRD320G, MBRD320G數據表 (總頁數: 8, 大小: 170.37 KB)
PDFMBRD320T4數據表 封面
MBRD320T4數據表 頁面 2 MBRD320T4數據表 頁面 3 MBRD320T4數據表 頁面 4 MBRD320T4數據表 頁面 5 MBRD320T4數據表 頁面 6 MBRD320T4數據表 頁面 7 MBRD320T4數據表 頁面 8

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MBRD320G規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果600mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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Taiwan Semiconductor Corporation

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 40V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123HE

工作溫度-結點

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2500V

電流-平均整流(Io)

255A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.3V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 2500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

DO-205AA, DO-8, Stud

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-40°C ~ 140°C

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Powerex Inc.

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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包裝/箱

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