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MBRD650CT1

MBRD650CT1

僅供參考

型號 MBRD650CT1
PNEDA編號 MBRD650CT1
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V 3A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRD650CT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRD650CT1
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRD650CT1, MBRD650CT1數據表 (總頁數: 6, 大小: 65.43 KB)
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MBRD650CT1規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 50V
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 600V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

500pA @ 75V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

50A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 54A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

6µA @ 600V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

70V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

70mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

安裝類型

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