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MBRD660CTT4H

MBRD660CTT4H

僅供參考

型號 MBRD660CTT4H
PNEDA編號 MBRD660CTT4H
描述 DIODE SCHOTTKY
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRD660CTT4H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRD660CTT4H
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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MBRD660CTT4H規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 60V
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

640mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 40V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1800V

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

760mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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