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MBRD835LT4G

MBRD835LT4G

僅供參考

型號 MBRD835LT4G
PNEDA編號 MBRD835LT4G
描述 DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 237,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRD835LT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRD835LT4G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRD835LT4G, MBRD835LT4G數據表 (總頁數: 5, 大小: 125.55 KB)
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MBRD835LT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果510mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1.4mA @ 35V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 200V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-76, SOD-323

供應商設備包裝

SOD-323

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 45V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 75V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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DO-214AA (SMB)

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