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MBRH20060R

MBRH20060R

僅供參考

型號 MBRH20060R
PNEDA編號 MBRH20060R
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 200A D-67
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRH20060R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRH20060R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRH20060R, MBRH20060R數據表 (總頁數: 3, 大小: 661.6 KB)
PDFMBRH20080R數據表 封面
MBRH20080R數據表 頁面 2 MBRH20080R數據表 頁面 3

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MBRH20060R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)200A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 200A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D-67
供應商設備包裝D-67
工作溫度-結點-

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1.1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

970mV @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 200V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

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