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MBRH20080

MBRH20080

僅供參考

型號 MBRH20080
PNEDA編號 MBRH20080
描述 DIODE SCHOTTKY 80V 200A D-67
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRH20080資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRH20080
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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MBRH20080規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)200A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果840mV @ 200A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D-67
供應商設備包裝D-67
工作溫度-結點-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 20V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 400V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

18pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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