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MBRM110ET3

MBRM110ET3

僅供參考

型號 MBRM110ET3
PNEDA編號 MBRM110ET3
描述 DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRM110ET3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRM110ET3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRM110ET3, MBRM110ET3數據表 (總頁數: 8, 大小: 81.91 KB)
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MBRM110ET3規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)10V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果530mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 10V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-216AA
供應商設備包裝Powermite
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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1.2V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 200V

電容@ Vr,F

175pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

6pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1200V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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