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MBRT120150R

MBRT120150R

僅供參考

型號 MBRT120150R
PNEDA編號 MBRT120150R
描述 DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT120150R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT120150R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT120150R, MBRT120150R數據表 (總頁數: 3, 大小: 790.84 KB)
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MBRT120150R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)60A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 60A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 150V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 160V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

89A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 300A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1600V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

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