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MBRT12020

MBRT12020

僅供參考

型號 MBRT12020
PNEDA編號 MBRT12020
描述 DIODE MODULE 20V 120A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT12020資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT12020
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT12020, MBRT12020數據表 (總頁數: 3, 大小: 687.31 KB)
PDFMBRT12040R數據表 封面
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MBRT12020規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)120A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 60A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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二極管配置

1 Pair Series Connection

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

11A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 7A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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1 Pair Common Cathode

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

970mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 120V

工作溫度-結點

-40°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

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1 Pair Common Cathode

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

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5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

工作溫度-結點

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