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MBRT12060

MBRT12060

僅供參考

型號 MBRT12060
PNEDA編號 MBRT12060
描述 DIODE MODULE 60V 120A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,734
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT12060資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT12060
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT12060, MBRT12060數據表 (總頁數: 3, 大小: 788.13 KB)
PDFMBRT12080R數據表 封面
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MBRT12060規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)120A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 60A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

10V @ 200mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 7500V

工作溫度-結點

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安裝類型

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包裝/箱

Module

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 70A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 800V

工作溫度-結點

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1400V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 1400V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

工作溫度-結點

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