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MBRT200100R

MBRT200100R

僅供參考

型號 MBRT200100R
PNEDA編號 MBRT200100R
描述 DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT200100R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT200100R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT200100R, MBRT200100R數據表 (總頁數: 3, 大小: 752.64 KB)
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MBRT200100R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 15A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

480µA @ 45V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

280µA @ 80V

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

工作溫度-結點

-65°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

8A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1200V

工作溫度-結點

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安裝類型

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