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MBRT600150

MBRT600150

僅供參考

型號 MBRT600150
PNEDA編號 MBRT600150
描述 DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT600150資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT600150
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT600150, MBRT600150數據表 (總頁數: 3, 大小: 792.8 KB)
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MBRT600150規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 150V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.36V @ 2200A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 2200V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5nA @ 75V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 300A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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