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MBRT600200

MBRT600200

僅供參考

型號 MBRT600200
PNEDA編號 MBRT600200
描述 DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT600200資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT600200
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT600200, MBRT600200數據表 (總頁數: 3, 大小: 792.8 KB)
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MBRT600200規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 200V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 20A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

610mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 60V

工作溫度-結點

150°C (Max)

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

160µA @ 200V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

760mV @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 40V

工作溫度-結點

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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