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MBRT60035R

MBRT60035R

僅供參考

型號 MBRT60035R
PNEDA編號 MBRT60035R
描述 DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT60035R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT60035R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT60035R, MBRT60035R數據表 (總頁數: 3, 大小: 684.55 KB)
PDFMBRT60040R數據表 封面
MBRT60040R數據表 頁面 2 MBRT60040R數據表 頁面 3

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MBRT60035R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)600A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

工作溫度-結點

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安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

400A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 400A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 40V

工作溫度-結點

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安裝類型

Chassis Mount

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

工作溫度-結點

200°C (Max)

安裝類型

Through Hole

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