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MBRT60045R

MBRT60045R

僅供參考

型號 MBRT60045R
PNEDA編號 MBRT60045R
描述 DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT60045R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT60045R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT60045R, MBRT60045R數據表 (總頁數: 3, 大小: 685 KB)
PDFMBRT60080R數據表 封面
MBRT60080R數據表 頁面 2 MBRT60080R數據表 頁面 3

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MBRT60045R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)600A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5nA @ 75V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 30V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 45V

工作溫度-結點

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