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MBT2222ADW1T1G

MBT2222ADW1T1G

僅供參考

型號 MBT2222ADW1T1G
PNEDA編號 MBT2222ADW1T1G
描述 TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 243,054
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBT2222ADW1T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBT2222ADW1T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
MBT2222ADW1T1G, MBT2222ADW1T1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 139.62 KB)
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MBT2222ADW1T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大150mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

175MHz, 340MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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2 NPN, 2 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.4V @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

30nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 10V

功率-最大

650mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

36V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

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