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MC100EP52DR2G

MC100EP52DR2G

僅供參考

型號 MC100EP52DR2G
PNEDA編號 MC100EP52DR2G
描述 IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MC100EP52DR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MC100EP52DR2G
類別半導體邏輯IC邏輯-觸發器
數據表
MC100EP52DR2G, MC100EP52DR2G數據表 (總頁數: 11, 大小: 183.96 KB)
PDFMC10EP52MNR4G數據表 封面
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MC100EP52DR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列100EP
功能Standard
類型D-Type
輸出類型Differential
元素數1
每個元素的位數1
時鐘頻率3GHz
最大傳播延遲@ V,最大CL-
觸發類型Positive, Negative
電流-輸出高,低-
電壓-供電-3V ~ -5.5V
當前-靜態(Iq)45mA
輸入電容-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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最大傳播延遲@ V,最大CL

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觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

32mA, 64mA

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

當前-靜態(Iq)

250µA

輸入電容

4pF

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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類型

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輸出類型

Differential

元素數

1

每個元素的位數

4

時鐘頻率

3GHz

最大傳播延遲@ V,最大CL

-

觸發類型

Positive, Negative

電流-輸出高,低

-

電壓-供電

-3V ~ -5.5V

當前-靜態(Iq)

120mA

輸入電容

-

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元素數

1

每個元素的位數

8

時鐘頻率

-

最大傳播延遲@ V,最大CL

5.2ns @ 5V, 50pF

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

15mA, 48mA

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

當前-靜態(Iq)

1mA

輸入電容

6pF

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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功能

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類型

D-Type

輸出類型

Non-Inverted

元素數

1

每個元素的位數

6

時鐘頻率

40MHz

最大傳播延遲@ V,最大CL

27ns @ 5V, 15pF

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

400µA, 8mA

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

當前-靜態(Iq)

22mA

輸入電容

-

工作溫度

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安裝類型

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輸出類型

Tri-State, Non-Inverted

元素數

1

每個元素的位數

8

時鐘頻率

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最大傳播延遲@ V,最大CL

10.6ns @ 5V, 50pF

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

8mA, 8mA

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