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MCH6122-TL-H

MCH6122-TL-H

僅供參考

型號 MCH6122-TL-H
PNEDA編號 MCH6122-TL-H
描述 TRANS PNP 30V 3A MCPH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH6122-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH6122-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MCH6122-TL-H, MCH6122-TL-H數據表 (總頁數: 6, 大小: 513.83 KB)
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MCH6122-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic180mV @ 75mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡400MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝6-MCPH

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

2W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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