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MCH6436-TL-E

MCH6436-TL-E

僅供參考

型號 MCH6436-TL-E
PNEDA編號 MCH6436-TL-E
描述 MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,632
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH6436-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH6436-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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MCH6436-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs34mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds710pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-MCPH
包裝/箱6-SMD, Flat Leads

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36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

112nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4785pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 48W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Ta), 180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6190pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2380pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

72W (Tc)

工作溫度

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