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MCH6603-TL-H

MCH6603-TL-H

僅供參考

型號 MCH6603-TL-H
PNEDA編號 MCH6603-TL-H
描述 MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH6603-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH6603-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
MCH6603-TL-H, MCH6603-TL-H數據表 (總頁數: 6, 大小: 258.58 KB)
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MCH6603-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)140mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.4nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7.4pF @ 10V
功率-最大800mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝6-MCPH

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20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

276mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

165nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5316pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

416pF @ 10V, 536pF @ 10V

功率-最大

700mW (Ta)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.68nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 15V

功率-最大

445mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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