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MDS1100

MDS1100

僅供參考

型號 MDS1100
PNEDA編號 MDS1100
描述 RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MDS1100資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MDS1100
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MDS1100規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)65V
頻率-過渡1.03GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益8.9dB
功率-最大8750W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 5A, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱55TU-1
供應商設備包裝55TU-1

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Microsemi Corporation

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

100MHz ~ 500MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.5dB ~ 10dB

功率-最大

140W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55JT

供應商設備包裝

55JT

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323-3

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制造商

Microsemi Corporation

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

22V

頻率-過渡

3.7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6dB ~ 6.3dB

功率-最大

9W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 420mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55BT

供應商設備包裝

55BT

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制造商

Broadcom Limited

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

增益

9dB ~ 18dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-86

供應商設備包裝

86 Plastic

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