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MHT1108NT1

MHT1108NT1

僅供參考

型號 MHT1108NT1
PNEDA編號 MHT1108NT1
描述 RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MHT1108NT1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MHT1108NT1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MHT1108NT1, MHT1108NT1數據表 (總頁數: 15, 大小: 298.75 KB)
PDFMHT1108NT1數據表 封面
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MHT1108NT1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.45GHz
增益18.6dB
電壓-測試32V
額定電流(安培)10µA
噪聲系數-
當前-測試110mA
功率-輸出12.5W
電壓-額定65V
包裝/箱16-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝16-DFN (4x6)

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系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

2.4GHz

增益

17dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

120mA

功率-輸出

110W

電壓-額定

65V

包裝/箱

H-37248-4

供應商設備包裝

H-37248-4

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

HFET

頻率

2GHz

增益

16dB

電壓-測試

2V

額定電流(安培)

120mA

噪聲系數

0.6dB

當前-測試

5mA

功率-輸出

12dBm

電壓-額定

4V

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

SOT-343

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.39GHz

增益

14dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.9A

功率-輸出

40W

電壓-額定

68V

包裝/箱

NI-1230

供應商設備包裝

NI-1230

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.3GHz

增益

14.9dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

750mA

功率-輸出

66W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-1230-4LS2L

供應商設備包裝

NI-1230-4LS2L

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.805GHz ~ 1.88GHz

增益

18.7dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.5A

功率-輸出

280W

電壓-額定

65V

包裝/箱

OM-880X-2L2L

供應商設備包裝

OM-880X-2L2L

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