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MID100-12A3

MID100-12A3

僅供參考

型號 MID100-12A3
PNEDA編號 MID100-12A3
描述 MOD IGBT RBSOA 1200V 135A Y4-M5
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MID100-12A3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MID100-12A3
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
MID100-12A3, MID100-12A3數據表 (總頁數: 7, 大小: 190.08 KB)
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MID100-12A3規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)135A
功率-最大560W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce5.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Y4-M5
供應商設備包裝Y4-M5

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.35nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SP3

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

-

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

183A

功率-最大

630W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.43nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

E3

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制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

功率-最大

260W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.53nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

功率-最大

125W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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