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MJ15004G

MJ15004G

僅供參考

型號 MJ15004G
PNEDA編號 MJ15004G
描述 TRANS PNP 140V 20A TO3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJ15004G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJ15004G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJ15004G, MJ15004G數據表 (總頁數: 5, 大小: 147.26 KB)
PDFMJ15003G數據表 封面
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MJ15004G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)140V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)250µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 5A, 2V
功率-最大250W
頻率-過渡2MHz
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-204 (TO-3)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 6A, 30A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 15A, 2V

功率-最大

200W

頻率-過渡

2MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10µA, 5V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

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