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MJ21193G

MJ21193G

僅供參考

型號 MJ21193G
PNEDA編號 MJ21193G
描述 TRANS PNP 250V 16A TO3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 15 - 十一月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJ21193G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJ21193G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJ21193G, MJ21193G數據表 (總頁數: 7, 大小: 172.19 KB)
PDFMJ21194G數據表 封面
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MJ21193G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 3.2A, 16A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 8A, 5V
功率-最大250W
頻率-過渡4MHz
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-204 (TO-3)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2A, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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安裝類型

Through Hole

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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