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MJD112T4

MJD112T4

僅供參考

型號 MJD112T4
PNEDA編號 MJD112T4
描述 TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 20,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD112T4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD112T4
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD112T4, MJD112T4數據表 (總頁數: 10, 大小: 379.29 KB)
PDFMJD112T4數據表 封面
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MJD112T4規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)20µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 2A, 3V
功率-最大20W
頻率-過渡25MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 3A, 4V

功率-最大

50W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-220-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 500mA, 2V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

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