MJD112T4G
僅供參考
| 型號 | MJD112T4G |
| PNEDA編號 | MJD112T4G |
| 描述 | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 40,188 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 四月 12 - 四月 17 (選擇加急運輸) |
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MJD112T4G資源
| 品牌 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | MJD112T4G |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-雙極（BJT）-單 |
| 數據表 |
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MJD112T4G規格
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 系列 | - |
| 晶體管類型 | NPN - Darlington |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 2A |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 100V |
| Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| 當前-集電極截止（最大值） | 20µA |
| 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| 功率-最大 | 20W |
| 頻率-過渡 | 25MHz |
| 工作溫度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供應商設備包裝 | DPAK |
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