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MJD210RLG

MJD210RLG

僅供參考

型號 MJD210RLG
PNEDA編號 MJD210RLG
描述 TRANS PNP 25V 5A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 22 - 六月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD210RLG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD210RLG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD210RLG, MJD210RLG數據表 (總頁數: 7, 大小: 149.69 KB)
PDFMJD200T5G數據表 封面
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MJD210RLG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.8V @ 1A, 5A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce45 @ 2A, 1V
功率-最大1.4W
頻率-過渡65MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

75V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

440mV @ 200mA, 4.5A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 8mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 500mA, 2V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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