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MJD2955-001

MJD2955-001

僅供參考

型號 MJD2955-001
PNEDA編號 MJD2955-001
描述 TRANS PNP 60V 10A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD2955-001資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD2955-001
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD2955-001, MJD2955-001數據表 (總頁數: 7, 大小: 132.58 KB)
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MJD2955-001規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 4A, 4V
功率-最大1.75W
頻率-過渡2MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝I-PAK

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.7V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 1V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 1mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 2.4A, 12A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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