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MJD3055T4

MJD3055T4

僅供參考

型號 MJD3055T4
PNEDA編號 MJD3055T4
描述 TRANS NPN 60V 10A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 20,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 26 - 七月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD3055T4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD3055T4
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD3055T4, MJD3055T4數據表 (總頁數: 6, 大小: 187.86 KB)
PDFMJD2955T4數據表 封面
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MJD3055T4規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 4A, 4V
功率-最大20W
頻率-過渡2MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

175MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 150mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 50mA, 1V

功率-最大

400mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 200mA, 5V

功率-最大

500mW

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