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MJD31CT4

MJD31CT4

僅供參考

型號 MJD31CT4
PNEDA編號 MJD31CT4
描述 TRANS NPN 100V 3A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 44,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD31CT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD31CT4
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD31CT4, MJD31CT4數據表 (總頁數: 13, 大小: 399.67 KB)
PDFMJD31C數據表 封面
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MJD31CT4規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 3A, 4V
功率-最大15W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2A, 5V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 500mA, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 2A, 5V

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