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MJD32CT4

MJD32CT4

僅供參考

型號 MJD32CT4
PNEDA編號 MJD32CT4
描述 TRANS PNP 100V 3A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD32CT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD32CT4
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD32CT4, MJD32CT4數據表 (總頁數: 13, 大小: 407.75 KB)
PDFMJD32C數據表 封面
MJD32C數據表 頁面 2 MJD32C數據表 頁面 3 MJD32C數據表 頁面 4 MJD32C數據表 頁面 5 MJD32C數據表 頁面 6 MJD32C數據表 頁面 7 MJD32C數據表 頁面 8 MJD32C數據表 頁面 9 MJD32C數據表 頁面 10 MJD32C數據表 頁面 11

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MJD32CT4規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 3A, 4V
功率-最大15W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

45 @ 50mA, 10V

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