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MJD44H11T4-A

MJD44H11T4-A

僅供參考

型號 MJD44H11T4-A
PNEDA編號 MJD44H11T4-A
描述 TRANS NPN 80V 8A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD44H11T4-A資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD44H11T4-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD44H11T4-A, MJD44H11T4-A數據表 (總頁數: 8, 大小: 209.7 KB)
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MJD44H11T4-A規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 4A, 1V
功率-最大20W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 250mA, 5V

功率-最大

1.6W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 280mA, 5.6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 3A, 15A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 5A, 2V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4000 @ 1A, 5V

功率-最大

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