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MJD44H11TM

MJD44H11TM

僅供參考

型號 MJD44H11TM
PNEDA編號 MJD44H11TM
描述 TRANS NPN 80V 8A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 207,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD44H11TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD44H11TM
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD44H11TM, MJD44H11TM數據表 (總頁數: 9, 大小: 91.46 KB)
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MJD44H11TM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 4A, 1V
功率-最大1.75W
頻率-過渡50MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

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頻率-過渡

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

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3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 200mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 7mA, 7A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5000 @ 7A, 4V

功率-最大

100W

頻率-過渡

55MHz

工作溫度

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