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MJE253G

MJE253G

僅供參考

型號 MJE253G
PNEDA編號 MJE253G
描述 TRANS PNP 100V 4A TO225AA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 51,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 15 - 二月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJE253G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJE253G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJE253G, MJE253G數據表 (總頁數: 7, 大小: 155.13 KB)
PDFMJE243G數據表 封面
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MJE253G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 200mA, 1V
功率-最大1.5W
頻率-過渡40MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-225AA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 10mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10µA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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