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MJE4353G

MJE4353G

僅供參考

型號 MJE4353G
PNEDA編號 MJE4353G
描述 TRANS PNP 160V 16A TO218
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJE4353G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJE4353G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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MJE4353G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3.5V @ 2A, 16A
當前-集電極截止(最大值)750µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 8A, 2V
功率-最大125W
頻率-過渡1MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-218-3
供應商設備包裝SOT-93

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 500mA, 10V

功率-最大

1.35W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

SOT-89

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 500mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

5MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

400mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

280MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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