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MJF45H11G

MJF45H11G

僅供參考

型號 MJF45H11G
PNEDA編號 MJF45H11G
描述 TRANS PNP 80V 10A TO-220FP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJF45H11G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJF45H11G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJF45H11G, MJF45H11G數據表 (總頁數: 5, 大小: 151.57 KB)
PDFMJF45H11數據表 封面
MJF45H11數據表 頁面 2 MJF45H11數據表 頁面 3 MJF45H11數據表 頁面 4 MJF45H11數據表 頁面 5

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MJF45H11G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 4A, 1V
功率-最大2W
頻率-過渡40MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220FP

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 60mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 3A, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 100mA, 2V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

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工作溫度

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

2nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10µA, 5V

功率-最大

360mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-18

BC307B_J35Z

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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