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MJH11019G

MJH11019G

僅供參考

型號 MJH11019G
PNEDA編號 MJH11019G
描述 TRANS PNP DARL 200V 15A TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJH11019G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJH11019G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJH11019G, MJH11019G數據表 (總頁數: 8, 大小: 95.03 KB)
PDFMJH11019數據表 封面
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MJH11019G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)200V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 150mA, 15A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce400 @ 10A, 5V
功率-最大150W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

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TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

制造商

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系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

800V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 40mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

3 @ 500mA, 5V

功率-最大

3W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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