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MJH6284

MJH6284

僅供參考

型號 MJH6284
PNEDA編號 MJH6284
描述 TRANS NPN DARL 100V 20A TO218
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJH6284資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJH6284
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJH6284, MJH6284數據表 (總頁數: 7, 大小: 124.27 KB)
PDFMJH6287數據表 封面
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MJH6284規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 200mA, 20A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 10A, 3V
功率-最大160W
頻率-過渡4MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-218-3
供應商設備包裝SOT-93

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 25mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 400mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

190MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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安裝類型

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140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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