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MJL21193G

MJL21193G

僅供參考

型號 MJL21193G
PNEDA編號 MJL21193G
描述 TRANS PNP 250V 16A TO264
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,290
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJL21193G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJL21193G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJL21193G, MJL21193G數據表 (總頁數: 7, 大小: 183.36 KB)
PDFMJL21193數據表 封面
MJL21193數據表 頁面 2 MJL21193數據表 頁面 3 MJL21193數據表 頁面 4 MJL21193數據表 頁面 5 MJL21193數據表 頁面 6 MJL21193數據表 頁面 7

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MJL21193G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 3.2A, 16A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 8A, 5V
功率-最大200W
頻率-過渡4MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264

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180V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 200mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 10mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 500mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

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