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MJL21196G

MJL21196G

僅供參考

型號 MJL21196G
PNEDA編號 MJL21196G
描述 TRANS NPN 250V 16A TO264
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJL21196G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJL21196G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJL21196G, MJL21196G數據表 (總頁數: 6, 大小: 129.78 KB)
PDFMJL21195數據表 封面
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MJL21196G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 3.2A, 16A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 8A, 5V
功率-最大200W
頻率-過渡4MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 4A, 5V

功率-最大

80W

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

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