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MKI100-12F8

MKI100-12F8

僅供參考

型號 MKI100-12F8
PNEDA編號 MKI100-12F8
描述 MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MKI100-12F8資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MKI100-12F8
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
MKI100-12F8, MKI100-12F8數據表 (總頁數: 2, 大小: 86.81 KB)
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MKI100-12F8規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
配置Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)125A
功率-最大640W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.9V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)1.3mA
輸入電容(Cies)@ Vce6.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱E3
供應商設備包裝E3

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

72A

功率-最大

379W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

400µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

ISOTOP

供應商設備包裝

ISOTOP®

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Microsemi

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Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

功率-最大

208W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

APTGF50DH60TG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Asymmetrical Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

APTGF50DH120TG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Asymmetrical Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

312W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.45nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

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