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ML62Q1365-NNNTBZ0BX

ML62Q1365-NNNTBZ0BX

僅供參考

型號 ML62Q1365-NNNTBZ0BX
PNEDA編號 ML62Q1365-NNNTBZ0BX
描述 16BIT LP-MCU / 32KB FLASH / 4KB
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 21 - 六月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ML62Q1365-NNNTBZ0BX資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ML62Q1365-NNNTBZ0BX
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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ML62Q1365-NNNTBZ0BX規格

制造商Rohm Semiconductor
系列ML621300
核心處理器nX-U16/100
核心大小16-Bit
速度25MHz
連接性I²C, SSP, UART/USART
外圍設備POR, PWM, WDT
I / O數量28
程序存儲器大小32KB (32K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小2K x 8
RAM大小4K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)1.6V ~ 5.5V
數據轉換器A/D 8x10b; D/A 1x8b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 150°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TQFP
供應商設備包裝32-TQFP (7x7)

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程序存儲器大小

64KB (64K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

8K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.98V ~ 3.8V

數據轉換器

A/D 4x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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程序存儲器大小

16KB (16K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

4K x 8

RAM大小

1K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.6V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 9x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

Mask ROM

EEPROM大小

-

RAM大小

6K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 16x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

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21

程序存儲器大小

32KB (11K x 24)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

4K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

4.5V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 11x10/12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

16K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

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