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MMBD1501

MMBD1501

僅供參考

型號 MMBD1501
PNEDA編號 MMBD1501
描述 DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBD1501資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBD1501
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MMBD1501, MMBD1501數據表 (總頁數: 7, 大小: 294.72 KB)
PDFMMBD1505A_D87Z數據表 封面
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MMBD1501規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10nA @ 180V
電容@ Vr,F4pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3
工作溫度-結點150°C (Max)

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

700mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-216AA

供應商設備包裝

DO-216

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

D711N60TXPSA1

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制造商

Infineon Technologies

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

6000V

電流-平均整流(Io)

1070A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 1200A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 6000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AB, B-PUK

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-40°C ~ 160°C

AR1PD-M3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Avalanche

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

12.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-220AA

供應商設備包裝

DO-220AA (SMP)

工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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