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MMBFJ110

MMBFJ110

僅供參考

型號 MMBFJ110
PNEDA編號 MMBFJ110
描述 JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $1.9163
250 ---------- $1.8265
500 ---------- $1.7366
1,000 ---------- $1.6468
2,500 ---------- $1.5720
5,000 ---------- $1.4971
庫存 2
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBFJ110資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBFJ110
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBFJ110, MMBFJ110數據表 (總頁數: 8, 大小: 331.83 KB)
PDFMMBFJ110數據表 封面
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MMBFJ110規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)10mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID4V @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)18 Ohms
功率-最大460mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SuperSOT-3

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 15V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

225mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

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50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

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電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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