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MMBFJ111

MMBFJ111

僅供參考

型號 MMBFJ111
PNEDA編號 MMBFJ111
描述 JFET N-CH 35V 350MW SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.9112
500 ---------- $0.8685
1,000 ---------- $0.8258
2,500 ---------- $0.7831
5,000 ---------- $0.7475
10,000 ---------- $0.7119
庫存 30,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBFJ111資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBFJ111
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBFJ111, MMBFJ111數據表 (總頁數: 10, 大小: 414.38 KB)
PDFMMBFJ111數據表 封面
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MMBFJ111規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)35V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)20mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID3V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)30 Ohms
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

6V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

600µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

20mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.5V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 10V

電阻-RDS(On)

300 Ohms

功率-最大

150mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

15V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

16mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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-

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