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MMBFJ175

MMBFJ175

僅供參考

型號 MMBFJ175
PNEDA編號 MMBFJ175
描述 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.8325
500 ---------- $0.7935
1,000 ---------- $0.7545
2,500 ---------- $0.7154
5,000 ---------- $0.6829
10,000 ---------- $0.6504
庫存 17,531
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBFJ175資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBFJ175
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBFJ175, MMBFJ175數據表 (總頁數: 8, 大小: 335.99 KB)
PDFMMBFJ175數據表 封面
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MMBFJ175規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)7mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID3V @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)125 Ohms
功率-最大225mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 0V

電阻-RDS(On)

18 Ohms

功率-最大

400mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

6mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

180mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

30mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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