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MMBFJ175LT1G

MMBFJ175LT1G

僅供參考

型號 MMBFJ175LT1G
PNEDA編號 MMBFJ175LT1G
描述 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.7843
500 ---------- $0.7475
1,000 ---------- $0.7107
2,500 ---------- $0.6740
5,000 ---------- $0.6433
10,000 ---------- $0.6127
庫存 222,756
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBFJ175LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBFJ175LT1G
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBFJ175LT1G, MMBFJ175LT1G數據表 (總頁數: 3, 大小: 169.49 KB)
PDFMMBFJ175LT1數據表 封面
MMBFJ175LT1數據表 頁面 2 MMBFJ175LT1數據表 頁面 3

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MMBFJ175LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)7mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID3V @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)125 Ohms
功率-最大225mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 15V (VGS)

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

350mW

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

24mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

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