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MMBFJ177LT1

MMBFJ177LT1

僅供參考

型號 MMBFJ177LT1
PNEDA編號 MMBFJ177LT1
描述 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBFJ177LT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBFJ177LT1
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBFJ177LT1, MMBFJ177LT1數據表 (總頁數: 4, 大小: 132.09 KB)
PDFMMBFJ177LT1數據表 封面
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MMBFJ177LT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)1.5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID800mV @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)300 Ohms
功率-最大225mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

310mW

工作溫度

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安裝類型

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

175mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 500pA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

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40V

漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.8V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

600µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

180mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

電阻-RDS(On)

200 Ohms

功率-最大

200mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.4µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3.5V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

200mW

工作溫度

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