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MMBFJ202

MMBFJ202

僅供參考

型號 MMBFJ202
PNEDA編號 MMBFJ202
描述 JFET N-CH 40V 350MW SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.3634
500 ---------- $0.3464
1,000 ---------- $0.3293
2,500 ---------- $0.3123
5,000 ---------- $0.2981
10,000 ---------- $0.2839
庫存 2,470
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 26 - 三月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBFJ202資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBFJ202
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBFJ202, MMBFJ202數據表 (總頁數: 10, 大小: 475.83 KB)
PDFMMBFJ201數據表 封面
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MMBFJ202規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)900µA @ 20V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID800mV @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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ON Semiconductor

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

200mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

200mW

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

25 Ohms

功率-最大

250mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

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